中芯国际刚宣布研发成功55纳米BCD平台 这是落后吗？

2022-09-06 11:44:30.0

 近日，中芯国际在在2022年半年财报中透露了公司的核心技术情况，其中，中芯国际宣称“55纳米BCD平台第一阶段已完成研发，进入小批量试产”，这引发了广泛的注意。台积电已经在宣称进军 2纳米芯片了，中心国际还在说55纳米的事情，差距真的那么大吗？
国内另外一个企业华虹的90纳米 BCD工艺也已经是比较先进的了，何况中芯国际的55纳米BCD工艺。
首先，这是概念上的误区，中芯国际说的是“55纳米BCD平台”，并非55纳米芯片。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术是一种单片集成工艺技术，能够在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，1985年由意法半导体率先研制成功。意法半导体仅2020年就售出近30亿颗芯片，其BCD工艺发展了十代了，此前主要是350纳米、180纳米、110纳米等，最新量产的十代工艺也是90纳米 BCD。由此可见，中芯国际的55纳米BCD平台是非常先进的，远远超过意法半导体的90纳米 BCD。
另外，台积电的技术水平毋庸置疑，但台积电并不擅长BCD平台工艺。台积电的3纳米工艺很强，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，每种3纳米工艺的技术优势也不同，这种3纳米工艺特别适合手机、数码产品的芯片，对光刻机的要求也非常高。所以，中芯国际没法拿下手机芯片代工订单，但可以大量接汽车芯片代工订单，这样的话，也就无需与台积电直接竞争。
其次，中芯国际研发成功BCD平台工艺的话，对于拓展市场大有好处。BCD工艺已经成为PIC的主流制造技术。汽车、计算机和工业自动化广泛采用了这项工艺技术，让芯片设计人员能够灵活、可靠地单片集成功率、模拟和数字信号处理电路。显然，这个市场是块大肥肉，尤其是汽车业的芯片爱使用BCD平台工艺来加工。